MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管。它是一种三端设备，由源极（source）、漏极（drain）和栅极（gate）组成。MOSFET可以根据工作模式和结构特点来进行分类，主要分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。

【资料图】

1、增强型MOSFET：

增强型MOSFET（Enhancement-mode MOSFET）是指在零栅极电压下，导通状态需要外加正电压的MOSFET。增强型MOSFET可以进一步分为P型增强型MOSFET（p-channel enhancement-mode MOSFET）和N型增强型MOSFET（n-channel enhancement-mode MOSFET）。

P型增强型MOSFET：其基本结构是在P型衬底上形成N型沟道，栅极材料为P型，当栅极电压为0V时，沟道中没有电子流动，处于截止状态，当栅极电压为正时，形成正电压势垒，使沟道导通，HEF4093BT电流从源极流向漏极，处于导通状态。

N型增强型MOSFET：其基本结构是在N型衬底上形成P型沟道，栅极材料为N型，当栅极电压为0V时，沟道中没有电子流动，处于截止状态，当栅极电压为正时，形成负电压势垒，使沟道导通，电流从漏极流向源极，处于导通状态。

2、耗尽型MOSFET：

耗尽型MOSFET（Depletion-mode MOSFET）是指在零栅极电压下，导通状态需要外加负电压的MOSFET。耗尽型MOSFET也可以进一步分为P型耗尽型MOSFET（p-channel depletion-mode MOSFET）和N型耗尽型MOSFET（n-channel depletion-mode MOSFET）。

P型耗尽型MOSFET：其基本结构是在P型衬底上形成N型沟道，栅极材料为P型，当栅极电压为0V时，沟道处于导通状态，当栅极电压为负时，形成负电压势垒，使沟道截止，电流无法流动，处于截止状态。

N型耗尽型MOSFET：其基本结构是在N型衬底上形成P型沟道，栅极材料为N型，当栅极电压为0V时，沟道处于导通状态，当栅极电压为负时，形成正电压势垒，使沟道截止，电流无法流动，处于截止状态。

MOSFET的工作原理：

MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来控制沟道的导电性。MOSFET的沟道是由衬底材料和栅极电压形成的。当栅极电压为0V时，沟道处于截止状态，电流无法流动。当栅极电压为正（或负）时，形成正（或负）电压势垒，使沟道导通，电流从源极流向漏极（或从漏极流向源极），处于导通状态。

在增强型MOSFET中，当栅极电压为正时，形成正电压势垒，使沟道导通，电流从源极流向漏极，处于导通状态。在耗尽型MOSFET中，当栅极电压为负时，形成正电压势垒，使沟道截止，电流无法流动，处于截止状态。

通过调节栅极电压，可以控制MOSFET的导通程度，从而实现对电流的控制。MOSFET具有高输入阻抗、低输出阻抗、低功耗等优点，在各种电子设备中得到广泛应用。